【摘 要】
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采用KP8带的模型计算InAs/GaAs(1-x)Sbx的量子点结构中,其具体的能带结构随Sb组分改变和量子点GaAs(1-x)Sbx覆盖层的厚度变化所发生的改变.本文,进一步根据波函数的分布位置的变化和能带结构的改变的计算,发现对于GaAsSb量子点,Sb组分增加至0.08时,量子点的各个空穴态的波函数开始向覆盖层GaAsSb层移动,不同的空穴态能带开始出现能级简并的现象,Ⅱ类量子点开始形成,组
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采用KP8带的模型计算InAs/GaAs(1-x)Sbx的量子点结构中,其具体的能带结构随Sb组分改变和量子点GaAs(1-x)Sbx覆盖层的厚度变化所发生的改变.本文,进一步根据波函数的分布位置的变化和能带结构的改变的计算,发现对于GaAsSb量子点,Sb组分增加至0.08时,量子点的各个空穴态的波函数开始向覆盖层GaAsSb层移动,不同的空穴态能带开始出现能级简并的现象,Ⅱ类量子点开始形成,组分达到0.14时,空穴态各个能级进一步发生简并,空穴基态的波函数开始向GaAsSb层移动,对应于文献中的实验数据,此时量子点开始表现出Ⅱ类量子点特性,在组分增加至0.28时,基态波函数完全移动到GaAsSb的覆盖层内,认为此组分下的量子点已经完成了Ⅰ类向Ⅱ类的转换过程.
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