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采用直流磁控溅射在普通玻璃衬底上沉积金属V膜，然后在空气中热氧化制备VO2薄膜。金属V膜在空气中400℃和450℃热氧化获得了具有电学相变特性的二氧化钒薄膜。
热氧化法制备二氧化钒薄膜的电学特性
【摘 要】
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采用直流磁控溅射在普通玻璃衬底上沉积金属V膜，然后在空气中热氧化制备VO2薄膜。金属V膜在空气中400℃和450℃热氧化获得了具有电学相变特性的二氧化钒薄膜。
【机 构】
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暨南大学物理系,广东广州510632
【出 处】
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广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会
【发表日期】
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2010年期
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