【摘 要】
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利用超薄SiO作缓冲层,在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜,SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄膜极化性能良好,饱和极 化、剩余极化分别为26
【机 构】
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中国科学院物理研究所超导国家重点实验室凝聚态物理中心( 北京)
【出 处】
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第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议
论文部分内容阅读
利用超薄SiO<,2>作缓冲层,在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜,SiO<,2>的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄膜极化性能良好,饱和极 化、剩余极化分别为26uC/cm<2>和10uC/cm<2>,矫顽场为70kV/cm,且在栅压为0.5V时观 察到明显的场效应,且在栅撤璃后具有“记忆”功能。
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