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本文研究了一种基于MBE的局部双轴应变SiGe外延生长技术。图形窗口边界采用了多晶Si侧墙，窗口内多层SiGe薄膜分段温度生长。通过扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）X射线双晶衍射（XRD）、透射电镜（TEM）与位错密度测试，表明双轴应变SiGe薄膜厚度、Ge组分得到精确控制，垂直应变度达到1.175％，其表面粗糙度为0.45nm，位错密度为1.2×103cm-2，由于图形窗口边界采用多晶Si侧墙，窗口边缘处未出现位错堆积。实验证实，采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好，基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求。