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基于蒙卡软件Geant4，选择和添加原子碰撞物理过程，设置模型中的参数，模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚度二氧化硅层的空位分布、空位总数，以及不同厚度二氧化硅层的非电离能量沉积和电离能量沉积，通过计算发现，空间质子位移损伤对器件栅氧不会造成致命的损害。
质子栅氧化层位移损伤理论计算
【摘 要】
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基于蒙卡软件Geant4，选择和添加原子碰撞物理过程，设置模型中的参数，模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚度二氧化硅层的空位分布、空位总数，以及不同
【机 构】
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西北核技术研究所西安710024
【出 处】
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第十届全国蒙特卡罗方法及其应用学术会议
【发表日期】
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2009年5期
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