【摘 要】
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面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InP/GaInP和CdSe/ZnSe等量子点实现单光子发射的实验报道.然而,InAs、GaAs、InP材料的室温激子束缚能却相对较小,分别为1meV、3.6meV和4.8meV,因此低温工作也
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871 韩国先进科技学院,物理系
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InP/GaInP和CdSe/ZnSe等量子点实现单光子发射的实验报道.然而,InAs、GaAs、InP材料的室温激子束缚能却相对较小,分别为1meV、3.6meV和4.8meV,因此低温工作也成为限制InAs和InP量子点单光子源实用化的一个瓶颈.本工作首先利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备和等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)设备在GaN模板上外延生长了In(Ga)N超薄单量子阱结构。通过改变In(Ga)N量子阱的In组分和厚度，对其发光波长进行调节。基于上述结构，利用纳米压印等微纳加工技术制备了最小直径为50nm、最大周期为3μm的纳米线阵列。此外，还利用PA-MBE在Si(lll)上自组装生长了GaN纳米线，并将In(Ga)N量子点耦合于纳米线中。TEM测试结果表明，MBE外延生长的In(Ga)N量子阱的厚度可低达一个原子层；自组装生长的GaN纳米线几乎是无位错的，In(Ga)N量子点成功耦合到GaN纳米线结构中，并且具有良好的三维限制效果。
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