【摘 要】
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研究了Ar/O比对溅射沉积ZnCdO(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的ZnCdO薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O=1:1时,薄膜带隙达到最小值.
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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研究了Ar/O<,2>比对溅射沉积Zn<,1-x>Cd<,x>O(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的Zn<,1-x>Cd<,x>O薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O<,2>的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O<,2>=1:1时,薄膜带隙达到最小值.
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