【摘 要】
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在三种标准的ESD模型下对某集成电路器件进行了注入损伤效应实验,结论有:建立起了集成电路芯片上的功率和能量(含平均值和峰值)与ESD放电电压之间的关系模型,可表示为函数:Y=
【机 构】
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军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003
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在三种标准的ESD模型下对某集成电路器件进行了注入损伤效应实验,结论有:建立起了集成电路芯片上的功率和能量(含平均值和峰值)与ESD放电电压之间的关系模型,可表示为函数:Y=AXB;不同ESD模型下器件的损伤阈值变化范围在2倍以内且同一个参数阈值均处于同一个数量级上;建立起了器件注入通路上的平均电阻模型,它与平均电流的关系可表示为函数:Y=CX-D.
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