高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luck88888

【摘要】

：

本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格反射器(DBR)和两对Ta2Os/SiO2 DBR组成,腔内InGaAs和GaAs之间的失配应变由线性缓变的IrxAl0.4Ga0.6-xAs缓变层调节(In组分由0.02线性变化

【作者】

：

Shaoqing Liu 刘少卿 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Haiqiao Ni 倪海桥 Jifang He 贺继方 Xin Wang 王欣 Bin Li 李彬牛智川

【机构】

：

State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sc

【出处】

：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2012年11期

【关键词】

：

光电探测器异变谐振腔增强化合物半导体性能评价

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