室温铁磁性相关论文
非层状过渡金属氧化物VO2（M）是一种典型的强相关材料。其发生在近室温（TMIT=68℃）处的金属-绝缘相变（MIT）,使其光学特性从半导体M相（T＜TMIT......
作为二维过渡金属硫化物（TMDs）家族中的重要成员之一,单层二硫化钼（MoS2）因其独特电子结构和优异的物理特性而被广泛研究,并被成功应用......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
过渡金属氧化物为新型功能材料的研究提供了丰富的资源。过渡金属氧化物异质结因其中d电子的丰富物理性质而具备显著的可调节性。......
TiO2基稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors,DMSs）材料目前虽然已经在理论和实验层面取得了一定的研究成果,然而在这一领域......
四方超结构Sr3YCo4O10.5+δ材料因其有序结构和高Tc～335 K被广泛研究,发现A位（Sr/Y）有序和氧空位有序是室温铁磁性产生的关键因素;此......
采用固相反应法制备了不同烧结温度(950~1180℃)、烧结时间、烧结次数共7种工艺的Sr3YCo4O10.5+δ多晶块材,通过热分析、XRD、SEM......
随着硅基半导体材料的发展,电子集成器件的设计越来越复杂,元器件本身搭载的功能也越来越丰富,不过时至今日,大部分的半导体器件仍......
在半导体中引入磁性可以获得稀磁半导体（DMS）,由于DMS能够同时调控电流和自旋两种自由度,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器......
复杂钙钛矿结构的Co基氧化物Sr3/RCo4O105+δ(R为Y或者Ln)具有独特的室温铁磁性和掺杂热电效应等,是由于其结构中的CoO4.5四面体层......
材料的界面与表面特性无论是在技术应用,还是在基本物理现象方面都具有与周期性结构的块体材料至少同等重要的意义。近年来,研究者......
氧化物稀磁半导体材料具有优异的光、电磁性能,在新型自旋电子学器件、光电磁信息材料、化学和生物领域都具有广泛的应用,是当前新......
学位
稀磁半导体作为自旋相关器件的材料基础,完美地实现了半导体微电子学和磁电子学的结合。其实用化的关键是实验上寻找到具有室温铁......
稀磁量子点是指在零维非磁性半导体量子点中掺杂少量磁性离子制备而成的新型光-磁双功能材料。磁性离子的掺杂使量子点具有电子自......
作为地壳中含量最多的一种稀土氧化物，二氧化铈(CeO2)因其独特的物理化学性质和晶体结构，而在荧光材料、燃料电池、光催化材料以及磁......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,属于六角纤锌矿结构,具有较大的激子束缚能,带隙宽度为3.37eV,可以实现室温下的紫外受激辐射。它还......
稀磁半导体可同时利用电子的电荷和自旋两个自由度而有望用作新型电子信息材料器件，因此倍受人们的关注。本文采用溶胶-凝胶旋涂法......
最近几年,特别是具有室温铁磁性的稀磁半导体材料,由于它们在自旋电子学器件方面具有潜在的应用前景,引起人们的广泛关注。宽带隙T......
多铁材料在信息储存、自旋电子器件,磁传感器以及电容、电感一体化器件等方面都显示出了潜在的应用前景,而用磁性元素对LiNbO_3薄......
ZnO是一个有着极大潜力的半导体材料,有许多实际方面的应用,如压电式转换器、表面声波器件、光波导管、变阻器、透明导电氧化物、......
纳米粒子是纳米材料家族的一个重要组成部分，也是近年来科研前沿一个非常活跃的研究领域。本文采用自行研制的纳米粒子束流沉积系统......
一维纳米氧化锌(ZnO)材料由于其独特的物理与化学性质,在光电器件、自旋电子学以及生物传感等领域具有重大应用潜力,在纳米材料的......
自旋电子学是致力于同时操控电子的电荷自由度和自旋自由度的新兴科学。在众多的自旋电子器件候选材料中，由于稀磁半导体具有着较高......
在科技不断进步和集成电路飞速发展的今天,各种各样的电子设备对半导体材料性能的要求不断提高。稀磁半导体材料具有磁光、磁电、......
1．制备了利用化学还原条件来调控结构的系列石墨烯材料，并用超导量子干涉仪(SQUID)测试了石墨烯材料的低温(2 K)以及室温(300 K)的磁......
硅基自旋电子学发展需要可以实际应用的硅基半导体磁性材料。β-FeSi2是一个窄禁带半导体材料，具有正交晶系结构，在光电子和光伏器件......
由于在自旋电子学领域广泛的应用前景，稀磁半导体吸引了越来越多的关注。为了满足实现应用的需要，要求其居里温度不低于室温。理论研......
稀磁半导体(DMSs)是一种由磁性过渡族金属(Fe，Co，Ni等)离子或稀土金属(Eu，Gd等)离子部分替代非磁性半导体中的阳离子所形成的新的一类......
学位
自旋电子学是最近二十年来建立和发展起来的一门集磁学、半导体学、微电子学，信息技术、纳米技术等的新型交叉学科。它在介观尺度范......
本文利用静电纺丝技术制备纯ZnO和Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米线。对Cox(ZnO)1-x纳米线的合成,结构,光学特性及磁性行为等进行了初步......
近年来,随着纳米材料的开发和利用,材料结构和物性之间的关系越来越受到人们的关注。如人们为了提高多铁材料的磁电耦合,进行了大......
稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，使得人们对电子自旋器件产生了很大的兴趣。稀磁半导体一般通过过渡金属掺杂半导体中而得......
凝聚态物理由于其丰富的物理内涵和广泛的应用，已经发展成当今物理学最重要的领域之一。随着凝聚态物理的理论发展，人们能够在制备样......
具有室温铁磁性（RTFM）的金属氧化物半导体，在未来的自旋电子器件、生物传感器、催化剂等领域具有广阔的应用前景。不过，目前人们得到的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以高纯Al粉和N2为原料,采用电弧法在原位成功合成微米球状室温铁磁性AlN稀磁半导体粉体.X-射线衍射仪(XRD)测试表明,AlN粉体为六方......
利用固相反应法在700℃-1000℃不同的温度下、空气中烧结Co3O4和TiO2混合物,制备了(Co3O4)x/3(TiO2)1-x(0......
采用电化学的方法制备了阳极氧化铝(PAA)薄膜,利用直流反应磁控溅射方法,以有序多孔PAA作为衬底,成功制备了有序多孔氧化镍(NiO)薄......
通过水热离子交换方法,制得不同含量的过渡金属离子Ni2+掺杂的、锐钛矿型的TiO2纳米带.使用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),......
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe,Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜。产物的显微照片及XRD图谱结果表明,该方法所制......
采用脉冲激光沉积技术在Al2O3衬底上制备了Mn掺杂的ZnO稀磁薄膜.通过不同氧压下所制备样品的微观结构、光学性质和铁磁特性分析,研......
ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,对其进行磁性离子掺杂,使其具有室温铁磁性而用于自旋电子学器件,具有重要的意......
利用溶胶-凝胶法制备了Fe掺杂Zn1-xCoxO（x=0.01～0.02）纳米晶体.通过XRD,TEM和VSM对其结构、晶格参数和磁性进行了表征和分析.所有样品......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶Si（100）衬底上制备Zn1-xMgxO（x=0．075，0．15，0．35，0．65）薄膜，研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影......
稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性，这使其成为了一个研究的热点。但是，针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大......
