【摘 要】
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本文介绍了一种采用Si基绝热结构和"填充-掏空"技术来制备非致冷红外探测器阵列的新方法.以此为目标,重点研究了ZnO纳米粉末的制备工艺以及如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系(武汉)
【出 处】
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2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会
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本文介绍了一种采用Si基绝热结构和"填充-掏空"技术来制备非致冷红外探测器阵列的新方法.以此为目标,重点研究了ZnO纳米粉末的制备工艺以及如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.对所研制的BST铁电薄膜敏感元材料进行了阵列图形刻蚀,结果表明,在40℃时刻蚀液对BST铁电薄膜的刻蚀速度约为3μm/min,刻蚀的薄膜图形边缘轮廓清晰,刻蚀后薄膜也无晶格畸变和铁电性能改变,并由此研制出BST铁电薄膜8×8元红外探测器阵列.
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