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该文介绍采和高斯束电子束曝光系统实现纳米结构图形电子束直写的关键技术－电子束邻近效应校正技术。重点介绍电子束在抗蚀剂膜层及基片衬底中的前散射和背散射电子对纳米结构图形加工的影响、电子束散射轨迹蒙特卡罗模拟技术、邻近效应校正技术及电子束曝光显影工艺模拟技术。
电子束纳米图形曝光邻近效应校正技术
【摘 要】
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该文介绍采和高斯束电子束曝光系统实现纳米结构图形电子束直写的关键技术－电子束邻近效应校正技术。重点介绍电子束在抗蚀剂膜层及基片衬底中的前散射和背散射电子对纳米结构
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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第一届全国纳米技术与应用学术会议
【发表日期】
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2000年11期
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