论文部分内容阅读
本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致发光峰.
GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究
【摘 要】
：
本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致发光峰.
【机 构】
：
山东大学物理与微电子学院(济南) 山东师范大学半导体研究所(济南)
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
本文通过实验,对影响蓝宝石单晶衬底片的质量参数进行了进一步的研究,对单晶控制,切割技术,研磨工艺和抛光工艺进行改进,以期取得更好实用效果.
采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象.
本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
使用共沉淀方法,以无机前驱体为原液,在水/醇二元体系中制备了均分散的ZnS稀土掺杂化合物半导体纳米晶.高分辨透射电镜观察表明产物形貌为近球形,平均粒径为3—5纳米,与由X-ray衍射谱使用Debye-Scherrer公式计算的结果上一致,也表明产物有较好的结晶性;同时,X-ray粉末衍射研究表明产物为立方闪锌矿结构;XPS元素分析显示了Eu离子在ZnS晶格中的有效、稳定掺杂;在光致发光研究中,观察
本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.
利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及低温光荧光谱测量显示近带边发射和激子发射,没有观察与深能级有关的蓝带等发射.采用Al电极制备出ZnO的MSM结构的光导型探测器原型器件,在紫外波段观察到与带边吸收有关的光电响应.
本文从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述了目前支撑光网络关键性光电子器件的发展现状,指出光器件集成芯片,光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.
本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH和CH为气源,在相同的SiH和CH的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,950□,1000□),在Si(111)衬底上外延生长出的.拉曼散射结果揭示了3C-SiC外延层中的静力学应力是张应力,其大小分别为7
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.