【摘 要】
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通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashba自旋劈裂随Al组分变化关系,并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带Rashba劈裂的影响。结果表明,Rashba自旋劈裂随Al组分增加很快,说明由压电
【机 构】
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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashba自旋劈裂随Al组分变化关系,并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带Rashba劈裂的影响。结果表明,Rashba自旋劈裂随Al组分增加很快,说明由压电极化和自发极化导致的内建电场对Rashba自旋劈裂至关重要。这些结果可能对自旋电子器件的设计有重要意义。
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