【摘 要】
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采用直流磁控溅射在GCr15基体上沉积TiNi形状记忆薄膜，550℃真空退火1 h得到超弹性较好的TiNi晶态薄膜。比较溅射态薄膜和真空退火薄膜的耐磨性，并对真空退火薄膜分别在室温和
【机 构】
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西安交通大学 现代设计及转子轴承系统教育部重点实验室
【出 处】
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2008全国青年摩擦学与表面保护学术会议
论文部分内容阅读
采用直流磁控溅射在GCr15基体上沉积TiNi形状记忆薄膜，550℃真空退火1 h得到超弹性较好的TiNi晶态薄膜。比较溅射态薄膜和真空退火薄膜的耐磨性，并对真空退火薄膜分别在室温和低温下(氮气作为温度栽体)进行摩擦实验及耐磨性能分析。结果表明：真空退火薄膜的表面未见磨痕，但可见配副材料的转移和粘着。溅射态薄膜的磨痕上可见表面薄膜已完全剥落，且其配副磨损也更为严重；真空退火薄膜低温下的摩擦系数较小，且室温(有氮气)和低温下都能有效的降低粘着磨损。
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