硒化镉（CdSe）晶体是一种主要的直接跃迁宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，有两种结构：一种是六方结构，6mm点群；另一种是立方结构，（?）3m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体核辐射探测器材料，也认为是响应可见光的一种极好的光电导材料，可用来制作x-射线、γ-射线探测器和光导摄像管靶、光电池、光二极管等光电器件。 本研究，首先采用改进的原料提纯工艺，即在同一安瓿的提纯段中对CdSe多晶原料进行多级提纯，当提纯到最后一级时将原料直接转移到安瓿的生长段中。此工艺避免了原料的二次污染，保证了原料的纯度，为单晶体的生长奠定了重要的基础。然后采用改进的垂直无籽晶气相法在同一安瓿的生长段中生长CdSe单晶体。用改进的方法生长出了高质量的CdSe单晶体并对晶体的完整性进行了研究。第一次观察到了（110）面的腐蚀形貌，估算出晶体的位错密度为10⁴cm^-2量级，这是目前所得的最好结果。进一步测试表明：晶体的电阻率为10⁷Ω.cm量级，电子陷阱浓度为10⁸cm^-3量级，在7000cm^-1到350cm^-1波段晶体的红外透过率为40％。利用长出的晶体制成的室温核辐射探测器对²⁴¹Am γ—射线进行探测，其能量分辨率达到40％。上述结果表明：在同一安瓿中多级提纯垂直无籽晶气相法是一种有前途的制备高质量CdSe单晶体的新方法， 本研究是四川大学材料系承担的国家教育部重点科技项目的部分工作。研究结果将对CdSe单晶体的实际开发应用具有积极意义，特别是对高质量单晶体的生长和室温核辐射探测器的制备具有实际应用价值。