SOI CMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及消除了闩锁效应、适于低压低功耗工作等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。鉴于CMOS集成技术在现代VLSI领域中的重要地位,以及电子设计自动化(EDA)在集成电路设计中的普遍应用,作为设计方和IC制造方互相联系的环节,MOSFET器件的集成模型一直受到人们的关注。随着栅长缩小至深亚微米范围,小尺寸效应给SOI器件带来了新的挑战。一方面,在SOl器件的建模中,必须考虑沟道长度缩短所带来短沟道效应,以及特有的体浮置带来的浮体效应问题。另一方面,为了实现器件的特征尺寸向更小的技术节点迈进,SOI器件从结构,材料上进行革新,改善器件性能,提高栅控能力,器件也由平面结构向3D结构发展。本文从模型与结构上针对小尺寸效应提出新的观点。在介绍了SOI的发展及SOI制备技术的基础上,针对HALO工艺的SOIMOS器件提出了新的阈值电压模型,模型较好地反应了器件沟道和隐埋层二维电势分布,以及短沟道效应对阈值电压的影响,并通过MEDICI二维器件模拟软件对单栅SOIMOS的器件特性做了深入探讨,验证了模型的准确性。在第四章重点讨论了SOI结构的发展,提出了一种新的MGate-SOIMOS器件,通过DAVINCI三维器件模拟软件进行研究,对MGate-SOIMOS器件的特性做了一定的有益探讨。第五章对SOIMOS的模型与结构提出了展望。