随着半导体向深亚微米和纳米节点发展,版图依赖效应(Layout Dependent Effects,LDE)对器件特性的影响日益突出。在设计过程中,仿真结果必须要能正确反映版图依赖效应对电路的影响。阱临近效应(Well Proximity Effect,WPE)是版图依赖中十分重要的一部分。在BSIM模型中,计算阱临近效应参数的方程十分复杂。由于受到EDA(Electronics Design Automation)工具的限制,参数方程在计算过程中可能会被简化,导致在设计初期阶段前仿真的结果有误差。为了减小在前仿真结果的误差,减少设计迭代过程、缩小设计周期,本文基于28nm互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,COMS)工艺,开展了提高阱临近效应在前仿真阶段准确性方法的研究。主要完成了以下研究工作:1、基于28nm CMOS工艺,对阱临近效进行研究。通过仿真实验分析了阱临近效应,包括金属氧化物半导体晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的沟道长度、宽度、多指数目与阱边缘距离之间的关系。2、对阱临近效应模型的参数方程进行研究。由于主流的晶圆代工厂的工艺设计套件中,阱临近效模型的参数方程十分复杂,在EDA工具的限制下受到简化并引起仿真结果的误差。本文在保证仿真结果的准确性的前提下优化模型的参数方程,并通过了实验结果的验证。3、对经典设计流程中实现阱临近效应仿真的方法进行研究。通过大量的仿真和测试,从工艺设计套件(Process Design Kit,PDK)和EDA工具两方面分析了由阱临近效应参数的计算导致的仿真误差的原因。本文通过优化工艺套件调整仿真中计算阱临近效应的参数,并结合优化的模型参数方程,实现了一种仿真阱临近效应的方法。该方法有效的避免了EDA工具的限制,把版图参数直接传入MOSFET SPICE模型并计算阱临近效应参数,提高了前仿真的准确性。最后,基于28nm工艺设计套件搭建电路进行仿真测试。结果表明,在优化的仿真方法上,MOSFET的特性受EDA工具和设计中引用变量的影响减小,仿真误差从最大7%减小到了0.01%,阱临近效应仿真的结果更加准确和可靠。