本文首先研究了带有边界效应和非零掺杂的高维单极半导体流体动力学模型:(?)在定解条件n(x,0)=n0(x)≥ 0,j(x,0)=j0(x),j(x,t)· n|=0,E·n|an=0,下弱熵解的大时间行为框架.其中Ω是Rd中的有界开集,n为Ω的单位外法线方向.其次,本文研究了高维双极半导体流体动力学模型:(?)在定解条件ni(x,0)=ni0(x)>0,ji(x,0)=ji0(x)ji(xt)·n|(?)Ω=0,E·n|(?)Ω=0,i=1,2,下光滑解的全局存在性及其渐近行为,其中Ω是Rd中的有界开集,n为Ω的单位外法线方向.本文共分为四章,第一章首先介绍了半导体流体动力学模型的具体形式并综述了国内外对于该模型的研究现状以及本文主要的研究内容.第二章我们利用基本能量估计和熵分析的方法,得到了带有绝缘边界效应和非零掺杂函数的高维单极半导体流体动力学模型整体弱熵解在L2范数下的大时间行为框架.值得强调的是,该结论只需要电子密度有界这一先验假设,并不需要初值的任何小性.本章最后简单介绍了任意有限维单极半导体流体动力学模型光滑解的存在性和渐近行为.在第三章,利用和单极模型类似的方法得到了高维双极半导体流体动力学模型光滑解在L2范数下的衰减性,然后由Gronwall’s不等式得到了指数收敛率.第四章首先利用简化后的对称双曲方程得到了光滑解的纯时间导数估计,然后再用时间导数控制空间以及混合偏导数,进而得到了该模型光滑解的高阶估计及全局存在性.