自从TCO问世以来,它一直是科学研究的一个热点。目前,TCO已经广泛地用于显示屏、太阳能电池、光传感器等光电设备。特别是在太阳能电池领域,TCO随着薄膜太阳能电池的问世而迅速发展。在HIT太阳能电池中,TCO作为电极可以保护下面的PN结,也可以通过控制其厚度使其成为减反层,这对提升电池的性能有很大意义。然而不同种类的TCO,它们的导电性、透光性等性质会有比较大的差别。因此,对于HIT太阳能电池来说选择一种合适的TCO非常重要。目前,在众多TCO材料中应用前景比较好的主要是ITO和AZO。本文采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上低温沉积ITO和AZO薄膜,通过设计正交实验方案来研究衬底加热温度、溅射功率和溅射压强这三个因素对ITO和AZO薄膜的光电性能的影响。制备的ITO薄膜电阻率最低为2.9×10^-3Ω?cm,在400¹100nm范围的平均透过率最高为86.18%。通过正交实验数据分析,优化的工艺条件为:衬底温度80℃、溅射功率60W、溅射压强0.1Pa。薄膜表面功函数在4.53⁴.75eV范围内,可以通过改变退火温度来进一步调控其功函数,使其与HIT电池发射极功函数匹配。制备的AZO薄膜电阻率最低为1.7×10^-2Ω?cm,在400¹100nm范围内的平均透过率最高为93.18%。正交分析优化的工艺参数为:衬底温度200℃、溅射功率140W、溅射压强0.1Pa。在较低衬底温度,较低溅射功率的条件下,ITO薄膜的电阻率比较小,而AZO薄膜的电阻率较大,两者的透过率比较接近。因此ITO薄膜更适合做HIT太阳能电池的前电极。