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亚微米尺度下,导电率的变化与此尺度下的缺陷或疲劳失效有着十分紧密的联系,而“亚微米”是MEMS导电薄膜器件结构特征尺度范围,且对于宽度、厚度只有数百纳米的此类薄膜导线,只有了解其平面导电率“形貌”,才能提供一个信息量十分完整的导电特性评价手段,因此,寻求新的分析方法与测量手段测量平面亚微米导电特性及其变化规律,就可对MEMS导电薄膜器件的微观缺陷和疲劳失效状况进行评估和可靠性预测。论文研制了传统四电极导电率测量方法与原子力显微镜结合的新型平面亚微米导电率测量系统,利用Photo-litho