SnO₂是一种宽带隙n型半导体材料,室温下能隙宽度为3.67eV,有良好的化学稳定性、光学各向异性等特点。SnO₂薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点,已被广泛地应用在太阳能电池、液晶显示、防静电涂层、电热材料、透明电极材料以及气敏材料等方面。SnO₂作为一种广谱气敏材料,可以用来检测各种有毒、有害及各种可燃性气体,具有非常广阔的应用前景。本课题在综述了各种制备SnO₂薄膜的工艺方法基础上,根据实验条件采用化学反应射频磁控溅射方法制备了二氧化锡薄膜,并对制得的薄膜利用原子力显微镜、X射线衍射等手段进行了表征,实验结果表明,SnO₂薄膜晶体择优取向为（110）和（211）方向,SnO₂薄膜为四方金红石结构。热处理工艺对薄膜的性能有很大的影响,分析在150℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃空气中热处理,不同退火温度的影响,通过AFM的形貌观察发现薄膜的质量结晶良好,并且观测到晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大。同时发现该方法制作的薄膜方法沉积速度较快、工作气体压力较低,具有其独特的优越性。通过在NH3、CO、NO2、H2四种气体的气氛下薄膜电阻的测试,得到SnO₂薄膜微气体传感器在不同气氛中的特性曲线,并给出敏感膜的灵敏度、温度特性、响应时间和恢复时间的测试结果。探讨和分析了SnO₂薄膜气敏元件的敏感机理。