硅基异质结太阳电池,因其成本低且制备工艺简单的因素,在光伏行业占据重要角色,对硅异质结太阳电池的发射极、钝化层及电极层的优化是提高电池转换效率的关键技术手段,是目前硅异质结太阳电池研究的重点。银纳米线作为透明导电材料,已在制造业、医学及生物学等多个领域得到具体应用,具有广阔的应用前景和研究意义,将银纳米线透明电极应用在太阳电池的电极层中可以提高电池的光吸收,对银纳米线透明电极的优化及应用也成为当下的重要研究方向。本文主要研究内容如下:对硅异质结太阳电池的制备,选用n型直拉法（Cz）单晶硅片作为衬底,先用碱性的氢氧化钠溶液在硅片表面刻蚀形成金字塔状陷光结构,随后用酸性的氢氟酸、冰乙酸与硝酸的混合液对金字塔顶角进行平滑处理,实验发现平滑5 s时器件效果最佳。再用PECVD制备技术在处理后的硅片两侧沉积p型和n型掺杂层形成电池结构。首先对p型发射层的工艺进行调控,在B2H6浓度为1.0%且p层厚度为22 nm时电池的输出特性较好。随后引入i-a-Si:H层作为钝化层,研究不同i层厚度以及氢稀释对i层生长的影响,最后在厚度为5 nm,RH（氢稀释）=4时钝化层对电池的钝化效果最好。用磁控溅射制备80 nm的ITO作为透明导电层,热蒸发制备300 nm的Ag栅线作为前电极,300 nm的Al制成背电极,获得电池的最高转换效率为12.71%,开路电压为483.2 m V,短路电流密度为40.9m A/cm~2,填充因子为64.32%。对银纳米线溶液的制备,研究了包括银纳米线溶液浓度、喷涂次数、不同溶剂等工艺条件对银纳米线透明电极的光电特性影响。实验发现,单独用去离子水作为溶剂时,在溶液浓度为15:1、喷涂次数为11次时,制备样品的方块电阻为21.5Ω/sq,在300-800 nm光波处的平均透过率为88.05%;而采用乙醇+去离子水且两者比例为1:1的混合液作为银纳米线溶剂,喷涂10次制备样品的方阻值为21.7Ω/sq,300-800 nm光波处的平均透过率为88.20%。随后又研究了Na Cl溶液对银纳米线的影响,在银纳米线溶液中加入少量低浓度的Na Cl溶液,可以对银纳米线起到化学焊接作用,进一步降低电阻值,在喷涂后用去离子水对样品冲洗1 min可以将多余的氯化钠冲洗掉,使样品的透过率得到提高,冲洗后样品的方块电阻值为18Ω/sq,300-800 nm光波处的平均透过率为87.54%。随后将优化过的银纳米线透明电极应用在硅异质结太阳电池中,将银纳米线溶液喷涂在正面ITO层上侧,替代部分银栅线,在收集载流子的同时也会增大电池的光吸收,使电池的短路电流得到提高。