化学溶液沉积法制备GdBiO<,3>缓冲层的工艺研究

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本论文提出了一种具有自主知识产权的缓冲层材料,同时开发了一种用于制备缓冲层的高分子有机物辅助化学溶液沉积技术。通过对制备过程中的热处理工艺进行系统化的研究,优化了关键的热力学参数,取得了一些很有意义的结果。第1章对超导相关知识作了概述。包括超导材料的发展、超导理论的发展、高温超导材料的结构和高温超导薄膜等。第2章重点阐述了缓冲层。内容包括:缓冲层研究发展情况:涂层导体的缓冲层;氧化物缓冲层材料及新缓冲层探索等。第3章对本论文涉及的实验方法和表征手段进行了阐述。介绍了化学溶液沉积(CSD)法的特点;对本论文涉及的相结构、表面形貌的表征手段进行了介绍。第4章用含水和无水CSD方法在单晶基底上制备GdBiO3(GBO)外延膜。详细介绍了用“两种方法、三种溶液”制备GBO薄膜的过程。内容包括:单晶基底选择、三种前驱胶体制备与比较、原料选择、涂敷、热处理、GBO和SrTiO3(STO)的晶体结构关系。最后分别用含水和无水CSD方法在STO上制备GBO。结果是,无水溶液更稳定,更利于制备得到织构良好的GBO薄膜。第5章详细研究了热处理工艺对GBO外延膜的影响。包括:升温速率、成相温度和气氛对GBO薄膜外延生长的影响。通过对分解工艺、成相工艺进行优化,得到最佳的热处理工艺,并制得织构良好、平整致密的外延薄膜。第6章研究了REBiO3的结构。分别用含水和无水的CSD方法在STO上成功制备EuBiO3;并研究了Eu2-xBixO3中Bi和Eu的取代关系。这为调节REBiO3的晶格提供了新的途径。结果表明,REBiO3系统将可能是一系列颇具应用前景的涂层导体缓冲层材料。
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