在近些年,氮化镓(GaN)材料得到了大量的研究。作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有出色的性能,由GaN制成的器件得到了广泛的应用。虽然,在GaN材料研究方面人类取得了明显的进步,但是其材料的优越性能还没有完全开发出来,GaN器件还有一些问题存在,如栅电场集中效应、击穿电压低和抗辐照加固等问题。另外,人们对于GaN器件的抗辐照研究相对较少,特别是器件的加固方法研究。所以,本文就围绕GaN器件的抗辐照加固结构展开研究,期望在不牺牲器件基础特性的条件下改善器件的单粒子烧毁(SEB)效应,充分发挥出GaN材料的优势。本文以传统的栅场板结构作为基础结构,研究了两种加固器件结构,主要内容分为两个部分:第一部分,研究了一种具有AlGaN插入层的加固结构。该插入层起到了背势垒的作用,降低了缓冲层泄漏电流,从而提高器件的击穿电压。同时,由于禁带宽度的不同,AlGaN插入层引入了一个新的量子阱,将由辐射产生的大量电子限制在新量子阱中而无法注入到导电沟道,使得新碰撞电离出的电子-空穴对的数目减少,从而提高器件的SEB特性。通过仿真软件优化参数,加固结构的击穿电压和SEB阈值电压分别达到了828 V和475 V,分别提高了56%和70%,而器件的输出特性略微下降。第二部分,研究了一种具有肖特基金属接触的加固结构。首先,肖特基金属区域形成了一部分耗尽区,泄露电子经过含有高浓度受主杂质的缓冲层时被不断地复合,使得器件的泄漏电流降低,击穿电压提高。其次,接地的肖特基金属电极可以有效地抽取由辐射产生的大量电子,减少器件触发SEB的可能,显著地改善SEB特性。仿真结果表明,加固结构的击穿电压提高了一倍,SEB阈值电压达到了1010 V,而器件的饱和电流大幅度降低。