随着浸没式步进扫描光刻机台ASML 1900Gi的引入,国内晶圆制造将逐步进入45,32纳米时代。对45纳米及更高端的技术节点而言,浸入式光刻技术已成为一项能将设计图缩小的主要技术。由于关键尺寸的不断缩小,很多先进的分辨率增强技术,如光学临近修正(OPC)、相位移掩膜版(PSM)、及偏振效应在浸没式光刻工艺中得到了广泛的应用。光刻技术通过应用光学临近修正和更严谨的制程标准来降低因为间距缩小和复杂图形设计带来的影响。在芯片特征图形尺寸已缩小到不到曝光波长的三分之一,先进光刻板已越来越变成更像是一个重要的光学部件。而随着关键尺寸(CD)的不断缩小,本来在90或65纳米光刻板上没有影响的缺陷,在45纳米光刻板上可能形成致命的缺陷。这些缺陷同时会成像在相应的硅片上,对于产品良率造成致命的影响,所以在目前在45纳米的产品上,缺陷检验和模拟都面临严峻的挑战。本文主要通过将生产中的关键层次(AA,GT, MET, CH, VIA)在光刻版上不同的图形区设计不同类型渐进变化的缺陷,形成线性的缺陷曝光图形然后直接到硅片上曝光,通过测量硅片上线宽的变化,来研究在45纳米产品中各种缺陷对硅片线宽的影响。同时将匹配相应的光刻板检验机台的参数进行检验,测试光刻版检验机台的抓取能力,及检验机台的缺陷抓取规格线。同时针对无法达到要求的层次调整修补机台的能力。在本文中不仅包括在硬件方面的数据测量,还包括一种硅片曝光模拟软件的研发,将硅片线宽与模拟软件线宽进行比较,通过一系列软件模拟开发过程及程序调试,最终确认模拟结果与实际曝光结果吻合,达到实验软件的可靠性验证。