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近年来,OLED的技术和产品以独特的优点、巨大的发展潜力和应用价值,引了各界的广泛关注和认可。但是由于有机半导体材料自身的一些不足,如具有本征载流子浓度低、导电率低、载流子注入能力差等缺点,限制了OLED’性能的提升,制约了OLED的广泛应用。针对以上问题,对有机半导体材料进行无机或有机掺杂,改善其导电性,提高其载流子的注入能力,成为目前有机电子领域的一项重要技术。本文选择了CBP、TPBi. BAlq三种常用OLED主体材料,分别对其进行p型、n型掺杂,详细研究了掺杂对其电学性能的影响。共分两个部分：首先对具有双极传输性能的CBP主体材料进行了p型掺杂研究。在CBP掺杂适当浓度的FeCl3,可以有效提高CBP的电导率和空穴迁移率,提高器件中空穴的注入。掺杂浓度为12wt%,器件的空穴传输性能最佳并符合空间电荷限制电流模型(SCLC),空穴的注入界面为准欧姆接触。低电压下器件的电导率达到3.1×10-7S/cm,器件的空穴迁移率达到1.26×10-4cm2/Vs,比常用的空穴传输材料NPB的空穴迁移率提高近6倍。同样,通过MoO3掺杂CBP,也可以有效提高器件中空穴的注入,提高CBP的电导率和空穴迁移率。掺杂浓度为16wt%,器件的性能最好并符合空间电荷限制电流模型(SCLC),低电压下器件的电导率达到2.4×10-7/cm,空穴迁移率达到6.0×10-5cm2/V s,并且空穴的注入界面被认为是准欧姆接触。将WO3掺入到主体材料CBP中,通过适当的掺杂,提高了器件中空穴的注入和传输,在最佳的掺杂浓度6wt%下,器件的电导率为9.4×10-10S／cm,比未掺杂的器件只有小幅度的提高,与前两种掺杂剂相比,掺杂的效果较差。WO3:CBP的空穴传输性能远低于常用的空穴传输材料NPB。其次对具有电子传输性能的主体材料TPBI及BAlq进行了n型掺杂研究。在TPBi掺杂适当浓度的LiF,可以有效提高器件中电子的注入,提高TPBi的电导率和空穴迁移率。掺杂浓度为4wt%,器件的电子传输性能最佳。低电压下器件的电导率达到3.6×10-9S／cm,高于没有掺杂的器件近三倍。在保持制备工艺不变的情况下,对BAlq分别进行了CsF、LiF、Liq掺杂研究,基于CsF:BAlq、LiF:BAlq和Liq:BAlq制备了一系列不同掺杂浓度的单电子器件。研究结果表明,通过CsF、LiF、Liq碱金属化合物掺杂BAlq不能提高BAlq的电子传输性能,反而降低了BAlq的电子电导率和迁移率,降低了器件的电学性能。低电压下未掺杂的纯BAlq器件的电导率达到为9.7×107S／cm,而将CsF(6%)、LiF(2wt%)和Liq(4wt%)三种掺杂剂分别掺入到主体材料BAlq中后,器件的电导率分别降到8.9×10-9、7.0×10-10和8.4×10-S／cm。随着掺杂浓度的升高,电子的传输机理由欧姆传导转变为陷阱电荷限制电流。碱金属化合物掺杂主体材料BAlq,不能形成碱金属阳离子和BAlq阴离子自由基,表明BAlq具有高的化学稳定性,不易与这些碱金属化合物发生反应。掺杂的碱金属化合物在BAlq的带隙中形成了陷阱态,成为捕获电子的陷阱,导致了电子迁移率降低。