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真空单源共蒸发法制备Zn掺杂SnS2薄膜,氮气保护对薄膜进行不同条件热处理.用X射线衍射仪、原子力显微镜、手动轮廓仪、光电子能谱仪、紫外—可见分光光度计、台式繁用表和冷热探针等对薄膜的物相结构、表而形貌、光电性能进行测试分析.实验结果给出:Sn、S配比为1:1.5(at%)的混合粉末沉积的薄膜,经380℃热处理15min后得到结晶良好的SnS2多晶薄膜,结构是简单正交晶系空间群P-3ml(164).按相同Sn、S配比分别掺入5wt%和9wt%的纯Zn粉,分别经350℃30min和370℃、