射频微电子系统（RF MEMS）器件以其优良的微波性能及多功能、低功耗、线性度好和低成本等优点正成为近年来无线移动通信领域的研究热点。RF MEMS开关由于具有其独特的优点，如低插入损耗、高隔离度、高线性度和低功耗等，更是在通信领域得到越来越多的研究与重视。目前，国际上各科研机构和公司也对开关作了深入的研究。 本论文着重研究应用频段低于10GHz的并联接触式RF MEMS开关，对开关的理论模型、开关的设计和制作等进行了分析与实验研究。在模拟分析的基础上，设计了变宽度的桥结构，在保证隔离度的情况下获得了较好的插入损耗，这是本论文的一大创新之处。利用高频分析软件分析MEMS开关的等效电路、电磁模型，提出了关于MEMS开关的等效电路参数的提取方法，较全面地分析了开关的结构及工作原理，这些都对开关的设计有一定的指导意义。MEMS开关的等效电路参数的提取也是本论文研究工作的一大特色。 在单片微波集成电路制作工艺的基础上，结合本实验室的工艺条件，在多次流片的基础上，对制备工艺中的一些关键步骤进行了创新和改进，制作了在频率低于10GHz时具有良好微波性能的RF MEMS开关。 最后，对开关进行了高频测试与分析。测试结果表明：开关的驱动电压为30V，在1-10GHz范围内的插入损耗均小于0.2dB，而在6GHz以下插入损耗低于0.1dB。同时对开关的S₁₁参数作拟合，得到的电容C_u约为38fF，这个值可以较好地与测试曲线吻合；在1-10GHz范围内的隔离度高于22dB，在5GHz以下隔离度高于28dB，对开关的S₂₁参数作拟合，得到电感和电阻分别为28pH和0.8Ω，这些值也能较好地与测试曲线吻合。