近年来,阻变存储器由于其结构简单、操作速度快、功耗低、读写速度快等优点而受到人们的广泛关注,成为下一代非易失性存储器的潜在候选者。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdZnTe薄膜材料具有铁电性能,可以作为阻变存储器MIM结构中的阻变层,获得新型阻变存储器。本文提出阻变CdZnTe薄膜的制备与开关特性研究,旨在获得性能优异CdZnTe薄膜存储器件,探究其开关特性的机理。本文以物理气相沉积技术为基础,采用射频磁控溅射的方法在衬底上制备具有阻变特性的CdZnTe薄膜。研究了阻变CdZnTe薄膜的制备条件和电极结构对阻变特性的影响。研究结果表明:衬底温度对CdZnTe薄膜的阻变特性有着决定性的影响。制备CdZnTe薄膜时,衬底不加热,薄膜表现出微弱的阻变特性;衬底加热,得到具有较好阻变效果的CdZnTe薄膜。改变衬底温度、溅射功率、溅射时间时,薄膜中的缺陷较少,分析认为其阻变机理主要是ITO薄膜中In+离子构成的导电细丝的形成与断裂起主要作用。对薄膜进行退火处理,发现随退火温度的升高,CdZnTe薄膜阻变开关比增大。退火处理使CdZnTe薄膜出现ZnTe相,进而使得缺陷增加,此时,缺陷能级中Cd空位对电荷的俘获及释放机制占据主导作用。当使用Cu同时作为顶电极、底电极时,薄膜的电阻开关比得到提升,且循环效果较为稳定。电极与CdZnTe薄膜界面形成肖特基势垒,界面处电荷的注入、电荷与Cd空位的俘获及去俘获导致肖特基势垒高度的变化是CdZnTe薄膜器件阻变特性的主要原因。