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本文以NPN和PNP纵向晶体管、GLPNP横向晶体管以及GSPNP衬底晶体管为研究对象,选择质子、Si离子、C离子和O离子作为辐照源,通过分析电性能退化规律和位移损伤缺陷演化规律,结合SRIM模拟方法,揭示了不同结构的双极晶体管位移损伤等效性规律。试验结果表明:在NPN晶体管和PNP两种纵向晶体管中,10Me V、40Me V Si,25Me V C以及25Me V O离子辐照后的Δ(1/β)不可以等效。而GLPNP横向晶体管和GSPNP衬底晶体管中,3种辐照源辐照后的Δ(1/β)可以等效。GLPNP横向晶体管的位移损伤敏感区为Si/Si O2界面;GSPNP衬底晶体管的位移损伤敏感区为Si体。基于DLTS分析,研究了5种辐照源在四种类型晶体管中的位移缺陷演化规律。大量试验研究表明,在NPN纵向晶体管中,经3Me V质子辐照后,未出现新类型的缺陷。而经40Me V Si离子辐照后,在较大的注量下,V2(-/0)缺陷的浓度增大,同时还出现了VP心缺陷。在PNP纵向晶体管中,10Me V Si离子辐照后,未出现新类型的缺陷。40Me V Si、25Me V C离子辐照后,晶体管中出现了新类型的空位缺陷。在GLPNP横向型晶体管和GSPNP衬底型晶体管中,3Me V质子、10Me V Si离子、40Me V Si离子3种辐照源辐照后,大剂量下均未有新类型的缺陷产生。通过对比5种辐照源辐照后4种结构晶体管的电性能变化规律以及位移缺陷演化规律,发现在NPN晶体管中,低能级缺陷转化为更深能级的缺陷以及VP心的出现是不能等效的主要原因。而在PNP晶体管中,出现了新类型的空位型缺陷是不能等效的主要原因。