ESD就是静电放电,在人们的日常工作生活中,ESD现象无处不在。大多数电子产品在使用期内99％的时间都处于一个充满ESD的环境之中,ESD可能来自人体、机器、甚至产品自身。由于集成电路(IC)体积非常小,在电子产品内部,集成电路是最容易遭受ESD的冲击而失效。ESD可以使IC产生完全的破坏,也有可能会导致产品栅锁、复位、数据丢失和不可靠。它的形成原理和控制在传统的半导体电路设计教科书很少提及。不过,目前已经有许多关于ESD保护电路设计和相关物理原理的工作成果,发表了大量的期刊论文和学术研讨会会议论文。 随着IC制作技术的进步,电路的尺寸呈摩尔定律式越来越小,现在已经进入深亚微米阶段。尺寸的减小可以增加IC的性能及运算速度,还可以降低每颗IC的制作成本。另外,还出现了一些新的制作工艺。许多实验表明,一些新的制作工艺会使电路的抗ESD性能大幅下降,如LDD,Silisade,Polyside和Salisade等。ESD设计工程师面临更大的挑战。 本论文介绍了ESD的产生原因及测试方法。针对TFT_LCD Driver驱动芯片特点,讨论了CMOS工艺下,从器件结构,元件,电路到系统针对加强IC的ESD保护而采取的不同措施,提出了新型的器件结构和电路结构,在节省电路面积的基础上,增强了电路的ESD防护能力。 在TSMC0.18μm CMOS工艺中进行成功流片和验证,测试结构表明在HBM模式下,可以承受2.5KV的ESD冲击,达到了设计的目的。 本论文提出的ESD保护电路,不仅可以用于小屏的TFT_LCD驱动芯片。而且可以为其它类似电路设计提供参考。