【摘 要】
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可见光电探测器因其器件结构简单、功耗低等优点已成为光电探测领域的研究重点。作为II-VI族化合物半导体的重要代表,ZnTe已经被广泛应用于纯绿色发光二极管、太阳能电池以及
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可见光电探测器因其器件结构简单、功耗低等优点已成为光电探测领域的研究重点。作为II-VI族化合物半导体的重要代表,ZnTe已经被广泛应用于纯绿色发光二极管、太阳能电池以及太赫兹电磁波辐射与探测设备等领域。但由于受纳米级材料制备技术的限制以及对光电导微观机理的不明确,因而ZnTe的光电导性能未得到提升。本实验旨在探索一种新的合成方法以及基于ZnTe纳米线可见光电探测器性能可控的因素。通过系统的实验分析揭示其微观机制,主要结论及创新点如下:(1)本文通过水热法和化学气相反应法两种方法结合的形式制备了ZnTe纳米线。将制备好的产物构建成光电探测器件,光电导性能测试表明ZnTe纳米线可以表现出很强的可见光电响应。(2)构建应力传感器,在静态和动态应力下的压阻性能测试表明ZnTe纳米线具有明显的压阻效应。压应变下器件的电导率增大,而张应变下电导率减小。(3)应力下的可见光电导性能测试表明ZnTe纳米线在应力作用下,光电导性能有明显的改变,并且在压应力作用下,可以提高器件的可见光电导响应。
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