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RF LDMOS(Radio Frequency Lateral Double Diffused Metal Oxide Silicon)以其增益高、线性好、输出功率大、稳定性好、价格低廉等优点成为通信基站,射频雷达中的首选器件。然而国内对于RF LDMOS功率晶体管的研究尚不成熟,本文基于国内研究现状开展了一款S波段工作的RF LDMOS器件的设计与研制。本文所设计的RF LDMOS晶体管源极采用Trench Sinker结构将LDMOS源极引到P型重掺杂衬底,双区LDD(Lightly Doped Drain)漂移区结构优化器件击穿电压和导通电阻,源极金属场板调制栅边缘电场、降低栅漏电容。基于此RF LDMOS器件的基本结构使用TCAD仿真工具Silvaco进行了工艺仿真。折衷优化了RF LDMOS的比导通电阻、栅氧可靠性和击穿电压,确定了器件的Pbody区注入剂量、移区长度、漂移区掺杂分布、金属场板长度、场板下方氧化层厚度等参数。根据仿真优化设计的的RF LDMOS器件结构进行了流片实验,器件击穿电压为76V,正向饱和电流密度225mA/mm。通过栅极的L型预匹配网络与漏极的T型预匹配网络,提升了器件的输入输出阻抗。封装后RF LDMOS的测试结果表明:在工作电压30V,2.7-3.1GHz工作频率下,漏极效率大于40%,输出功率大于100W,功率增益大于10dB,达到预期设计目标。最后,针对所研制的RF LDMOS晶体管开展了电路模型研究。一方面基于RF LDMOS小信号电路模型,使用COLD-FET法提取了器件的寄生参数,通过寄生参数剥离技术得到了LDMOS器件的本征元件参数,经过ADS仿真优化得到了更为精确的LDMOS小信号电路模型参数。另一方面,在小信号模型的基础上建立了RF LDMOS的大信号模型。其中LDMOS的非线性电流模型的建立以摩托罗拉的MET模型为基础并进行了适当改进,非线性电容模型的建立借鉴了传统的经验公式,模型的拟合结果显示所建立的大信号模型可以较准确的描述LDMOS器件的电流和电容。