8～14 μm的远红外激光在民用和军事领域有重要的应用。硒化镉(CdSe)具有透光波段宽(0.75～25μm)、光损伤阈值高(>50MW/cm2,20ns,2.0μm)、机械性能好(Mohs硬度为3.5)、吸收系数低(<0.05 cm-1,1～10μm)等优点,在非线性光学领域有极大的应用前景,是变频输出高功率8～14μm波段激光的首选材料。然而,CdSe晶体熔点高(1250 ℃),高温易分解,目前常用的方法难以制备优质单晶。对此,我们探寻一种改进的生长方法,实现了高质量CdSe单晶生长,并对生长的晶体进行了相关性能表征。首先进行生长方法的选择。通过对熔体法生长机理分析,发现Bridgman法适合高熔点、易挥发半导体生长,并已成功生长出与CdSe同族的多种晶体,于是我们尝试采用改进的Bridgman法进行CdSe晶体生长。经过理论计算研究,发现外加压力能有效抑制生长过程中组分分解,提高晶体质量。为此,我们选择施加1MPa外压,同时筛选合适的其他生长参数,实现了 Φ20×50 mm3的CdSe晶体生长。然后对晶体进行性能检测。通过X射线衍射仪(XRD),能谱分析仪(EDS),化学腐蚀位错密度(EPD),红外光谱仪等表征发现,本方法生长的单晶摇摆曲线窄(半高宽为0.1°),化学组分偏离小(CdSe0.989),位错密度小(104/cm2),在红外波段吸收系数低(0.03 cm-1以下)。通过与实验室前期气相法生长的晶体比较,晶体品质有了较大程度的提高。最后,我们对晶体可能的激光应用开展了初步探讨。根据Sellmeier方程,绘制出CdSe在不同泵浦光作用下的相位匹配调谐曲线,理论上能够实现宽范围的远红外调谐光输出,并对晶体的抗激光损伤阈值进行测试,数值达56MW/cm2(2.09 μm,46 ns,1Hz),基本能够满足高功率激光泵浦的需要。高压熔体法在生长高质量CdSe晶体方面有独特的优势,生长的晶体适合于激光方面的应用,有望用于优质红外非线性光学器件的制备,实现8～14 μm的远红外激光输出。