人工智能、物联网、大数据以及5G通讯的高速发展,非易失性存储器的市场需求日益强烈;在体积日益小型化、应用环境日益多样化、能耗绿色环保的要求下,发展新一代非易失性存储器的需求变得越来越强烈。阻变式存储器作为下一代非易失性存储器的可能选择之一,是以铁电薄膜电容作为存储单元的器件。锆钛酸铅（PZT）铁电电容具有较大的剩余极化强度、极快的读写速度、成本价格低廉等优点。在本论文中,采用溶胶-凝胶法（sol-gel）制备厚度可达6μm、不同铁电薄膜生长诱导层、以及通过界面调控不同肖特基势垒接触的Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃铁电薄膜。采用磁控溅射法以及化学溶液沉积法生长PZT薄膜的诱导层,其中,分别研究了厚度、退火时间、以及退火温度对镍酸镧薄膜晶向、表面纹理、以及方块电阻的影响。利用XRD观察诱导层诱导PZT薄膜晶向生长结构。从电滞回线以及电容电压曲线可知,剩余极化强度可达27μC/cm²。利用SEM以及PFM在微米纳米区域观察,均可看到光滑平整致密的表面,没有裂纹。在SEM下可观察到LNO薄膜诱导生长的PZT薄膜具有更大的晶粒尺寸。PFM可观察到LNO上生长的薄膜具有更大的表面粗糙度,表明其结晶性能更好。PZT电容的瞬态电流机理、疲劳特性机理尚需进一步研究。电滞回线分析表明,其铁电性随厚度变化先增加后减小。不同结构的瞬态电流表现出典型的铁电峰结构,随着外加电场,其正向峰值电压逐渐减少,负向峰值电压逐渐增加。晶向以及不同的势垒接触对铁电薄膜的非翻转电流没有影响,对翻转电流影响极大。势垒接触界面调控电容的电流特性。而PFM研究表明,镍酸镧薄膜上生长的PZT薄膜压电响应更大。