碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场高以及抗辐照能力强等优点,因而适于制作高温、高频、抗辐射的大功率器件。SiC结势垒肖特基(JBS)二极管是在肖特基二极管的基础上增加了PiN结构得到的,使得JBS同时具有肖特基二极管(SBD)和PiN二极管的优势。SiC JBS二极管具有导通电阻低、工作温度高、反向漏电流小以及阻断电压高等特点,同时大幅降低了开关损耗,提高了器件的抗辐射能力,从材料和结构上改进了传统Si肖特基二极管的性能,是潜力很大的功率整流器件。随着半导体器件和集成电路朝着高速、高集成、微功耗方向发展,器件尺寸缩小,抗电应力和抗辐射能力下降,对应力更加敏感,也对器件的可靠性提出了更高的要求,尤其是在航空、航天等军事领域,恶劣的工作环境会对器件的可靠性构成更严重的威胁。因此,SiC JBS二极管的可靠性问题应当引起足够重视。本文分析了4H-SiC JBS二极管的正反向电流特性,总结了常见应力对可靠性的影响,在传统失效表征方法的基础上提出了噪声灵敏表征方法,可以更敏锐的反映器件的潜在失效。本文设计实验测量SiC JBS二极管噪声,用噪声灵敏表征方法描述静电放电后4H-SiC JBS二极管可能存在的损伤。实验结果表明,无论对4H-SiC JBS二极管施加正向静电还是反向静电,JBS二极管的正向噪声均随着脉冲次数的增加而增加,反向噪声在1Hz~10Hz内随放电次数增大而增大,其中正、反向1/f噪声幅值和反向白噪声幅值变化明显,可选作灵敏参量来表征JBS器件的静电损伤。这种灵敏无损表征方法有助于准确快速地分析其他类型的应力损伤,对于研究JBS器件的可靠性问题具有重要的指导意义。