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本文通过非自耗真空电弧炉设备,通过前驱合金熔炼法制备了CuIn1-x-yRxCoyTe2(R=Ce,Gd)稀磁半导体化合物。通过X射线衍射确定了各样品的相组成,应用TREOR指标化及Rietveld结构精修对样品的结构进行了分析;通过扫描电子显微镜获得了样品的微观形貌,并应用能谱仪测定了各个样品的元素组成;应用VSM振动样品磁强计测得了样品的M-H曲线,及部分样品的M-T曲线;应用紫外可见分光光度计测量了样品的禁带宽度。结果表明:本实验所有样品的主相均为CuInTe2相,四方结构,空间群为I-42d。但当掺杂量较大时(0.1-0.4),样品在中均含有杂相,且杂相种类并不唯一,说明掺杂量过大时其相稳定性较差;对于大掺杂量的CuIn0.9-xCe0.1CoxTe2样品,其点阵常数范围在 a=6.181(7)A-6.188(0)A,晶胞体积范围在v=473.34A3-474.27A3,样品中含有副相InTe相,Te相及CoTe相;对于大掺杂量的CuIn0.9-xGd0.1CoxTe2样品,其点阵常数范围在a=6.182(7)A-6.190(2)A,晶胞体积范围在V=473.35A3-475.59A3,样品中杂相的峰未在标准卡片库中找到对应卡片,其指标化结果显示杂相均具有四方结构。通过优化掺杂量制备了 CuIn1-x-yRxCoyTe2(R=Ce,Gd)化合物,所有样品主相均为CuInTe2相,四方结构,空间群为I-42d。且Ce系列的样品为单相,Gd系列样品出现了杂相峰。CuIn1-x-yCexCoyTe2 的点阵参数范围为a=6.182(1)-6.188(4)A,c=12.389(8)-12.396(3)A;晶胞体积范围为:V=473.62-474.74A3。CuIn1-x-yGdxCoyTe2 的 点 阵 参 数 范 围 为a=6.180(0)-6.188(6)A,c=12.381(9)-12.391(6)A;晶胞体积范围为:V=472.90-474.58A3。精修结果显示 Culn1-x-yRxCoyTe:(R=Ce,Gd)中 Cu 原子占据4a(0,0,0)晶位,In原子、稀土元素(Ce,Gd)和Co原子共同占据4b(0,0,1/2)晶位,Te原子则占据8d(x,1/4,1/8)晶位,Cu-Te键长随着稀土元素(Ce,Gd)掺杂量增加,Co元素掺杂量降低而逐渐增大,相反In-Te键长则逐渐减小;而Cu-Te-Cu的键角随着稀土元素(Ce,Gd)掺杂量增加,Co元素掺杂量降低而逐渐减小,相反In-Te-In的键角逐渐增大。应用扫描电镜观察到样品的形貌,所有样品均为不规则块状,且稀土元素的掺杂可以使晶粒从聚集状态变成独立分离状态并起到晶粒细化的作用。应用VSM振动样品磁强计对Ce,Gd系列样品进行了磁性测量,CuIn1-x-yRxCoyTe2(R=Ce,Gd)均具有室温铁磁性,且随着Co元素含量的增加,其磁性逐渐增强,磁化率增加。应用紫外分光光度计对Culn1-x-yRxCoyTe2(R=Ce,Gd)系列样品的禁带宽度进行了测量,其中Ce系列样品的禁带宽度范围为0.92eV-1.08eV,Gd系列样品的禁带宽度范围在1.12eV-1.24eV;且随着掺杂量的变化而呈现增加的趋势。说明共同掺杂稀土元素与磁性元素可以有效调节CuInTe2的禁带宽度,提高了样品的光学性能,有在光伏电池领域良好的应用潜力。