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随着集成电路工业的发展，芯片集成度不断提高，特征尺寸不断减小，为了改善芯片电学性质，需要采用多层金属布线结构，导致芯片表面要求达到全局平面化，而传统的抛光工艺已不能满足这一要求，现在CMP工艺已被人们认为是唯一可实现全局平面化的工艺。但是由于其工艺的复杂性，人们对CMP机理以及工艺参数的作用仍缺乏深入的认识，大量的结论仍是实验性结果，另外，CMP本身也存在诸如表面划伤、金属离子沾污、吸附颗粒难以清洗等问题，从而限制了它的规模化应用。本课题选定二氧化硅介质CMP为研究方向，通过大量实验，重点进行了SiO2介质抛光液的配置，包括：有机碱、活性剂的选择及其作用机理；其次，对CMP工艺参数进行了优化调整，总结出了最佳的温度、压力、流量等工艺条件，并对其机理进行了深入探讨，建立了一条以化学作用为主，小粒径、高速率、高完美、高平整的CMP工艺路线，有效解决了目前氧化物化学机械抛光中存在的表面划伤、颗粒吸附难以清洗、金属离子沾污等问题。本课题所做的工作必将促进CMP工艺早日实现规模化应用，推动IC工业的发展。