随着电子技术的飞速发展,微波技术已经应用于人们生活的各个方面。其中,陶瓷基微波衰减材料因具有高强度,耐高温和耐腐蚀已经引起了广泛关注。以SiC作衰减助剂制备的AlN基微波衰减陶瓷既具有良好的热导率又具备较强的微波衰减特性,但因AlN-SiC致密化困难导致其热学和介电性能较差,限制了其应用与发展。本文采用等离子活化烧结（PAS）技术制备高致密的AlN-SiC复合材料,同时,通过调控复合材料的介电性能确定AlN、SiC的合适配比,并添加Y₂O₃烧结助剂优化AlN-SiC复合材料的热学和介电性能。以AlN、SiC微粉做为原料利用PAS制备AlN-SiC复合材料,研究了PAS的烧结工艺（烧结温度,保温时间,轴向压力,烧结气氛）对AlN-SiC复合材料显微结构和密度的影响。结果显示:提高烧结温度、增大轴向压强、延长保温时间、使用N₂作为烧结气氛,均有利于提高致密度。由于PAS低温快速致密化特点,确定适宜的烧结工艺:1800℃,35 MPa,5 min,N₂。研究SiC添加量（10⁵0 wt%）对AlN-SiC复合材料的密度、物相组成、显微结构与热学及介电性能的影响。随SiC添加量增加,材料密度逐渐减小,孔隙增多,虽然热导率从68.7 W/（m·K）降到19.38 W/（m·K）,但介电常数、介电损耗分别从7.6⁸.5和0.02⁰.1增加到22²6.7和0.2⁰.53。30 wt%SiC复合材料的反射损耗最小为-16.5 dB,频率宽度2.6 GHz（低于-10 dB）;50 wt%SiC复合材料的反射损耗最小为-15.4 dB,频率宽度1.8 GHz（低于-10 dB）。确定SiC适宜添加量为30 wt%,此时复合材料综合性能（热导率、介电性能）较好。为弥补过度固溶化所带来的热导率下降,添加适当的Y₂O₃（1⁵ wt%）降低温度。适量的Y₂O₃与AlN颗粒外层的氧化物反应生成铝酸盐化合物(Y₂Al₅O₁₂),Y₂Al₅O₁₂在晶界析出隔离AlN与SiC粉体,抑制AlN-SiC固溶体的形成。温度降低到1500℃,复合材料的热导率达到53.3 W/（m·K）,同时介电损损耗为0.15⁰.93,此时的AlN-SiC复合材料具有良好的热导率和介电损耗。