近年来,单片集成智能功率模块(IPM)因其高集成度、高可靠性、低成本等优点被广泛地应用于家用电器、新能源交通等领域。单片集成IPM集成度高,管脚密集,受静电泄放(ESD)冲击的威胁大,因此需要一个复杂的ESD保护网络为模块的各个管脚提供ESD保护。模型作为元器件与电路设计之问的桥梁,能够有效简化电路设计,提高设计成功率,因此研究单片集成智能功率模块ESD保护网络模型,对指导ESD保护网络设计具有重要意义。本文建立了一套完整的单片集成智能功率模块ESD保护网络模型,包括低压输入网络模型与高压输出网络模型。低压端口网络建模主要针对低压二极管,在理想二极管电流方程的基础上,考虑了串联电阻和雪崩击穿的影响,建立了低压端口网络二极管模型,然后分析了器件二次击穿产生机理,给出了模拟二次击穿的仿真方法。高压端口网络建模主要包括SOI-FRD和SOI-LIGBT两部分,其中SOI-FRD器件建模采用了低压网络二极管的建模思路：而SOI-LIGBT器件的建模则是基于器件的响应机理分析,将器件的响应特性分为正向阻断区、电压回滞区、电压维持区及二次击穿区四个阶段,然后采用数值方法建立了不同阶段的响应行为模型。最后,本文还考虑了金属线寄生电阻的影响,结合寄生电阻模型构建出单片集成智能功率模块完整的ESD保护网络模型。最终,在电路级仿真软件里对网络模型进行了验证,结果表明本文构建的单片集成智能功率模块ESD保护网络模型误差小于5%,实现了论文的预期目标。