静电泄放相关论文
在电子制作及维修工作中,不少爱好者曾遇到这样一种奇怪的现象:有些集成电路购来后还没使用过就莫名奇妙地损坏了,其中主要是一些......
静电成为电脑芯片的无形杀手,早已被人们所认识。因此,探测电脑周围静电的有无,保障电脑安全运行已显得十分必要。所以,笔者设计......
随着集成电路(IC)工艺进入深亚微米水平,以及射频(Radio-Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护......
小功率中波发送设备天馈线间匹配问题不容忽视张丕灶，吴秋水，刘传忠（福建省泉州４０１电台）小功率中波发送设备在广播事业发展初期，大都用于人......
本文阐述了ESD对电子设备的影响,结合全固态广播发射机的特性,提出全固态广播发射机运行维护中静电防护策略和方法。
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中波广播发射台都位于地势较高且地形开阔的位置,周围人烟稀少,无其他建筑物遮挡,若是天降大雨或电闪雷鸣,都将给中波广播发射带来......
PDP(等离子平板显示器)驱动芯片是PDP系统不可缺少的组成部分，在整个。PDP系统的成本中，PDP驱动芯片超过了1/3，因此保证PDP驱动芯片的......
绝缘体上硅(SOI)功率集成器件具有集成密度高、静态功耗低、开关速度快及抗闩锁能力强等优点，而p型横向双扩散MOS器件(pLDMOS)作为......
提出一种90 nm 1.2 V CMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD 容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺 MOSFET的栅极泄漏特性和反馈......
全固态PDM中波广播发射机由于全部采用了晶体管器件，整机效率比传统的电子管乙类屏调发射机提高了25%～30%，但由于晶体管器件对瞬态过......
0引言近年来,储油罐静电起火的事故时有发生,油田油罐的静电泄放能力关系着国家财产安全和人民生命安全。储油罐区现在大多使用接......
随着集成电路（IC）工艺进入深亚微米水平,以及射频（Radio-Frequency,RF）IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放（ESD）保护设计越......
某石化公司聚丙烯粉体定量包装秤是对聚丙烯粉体进行输送、包装的自动化设备。在粉体风送进仓作业中会产生大量静电，带电物料不仅会......
【摘要】近二十年来，随着中波发射机的制式的不断改进，发射机的结构也发生了巨大的变化，对防雷的要求也就更加严格。本文对中波发射台......
在CMOS集成电路设计中,工艺尺寸不断减小、栅氧厚度不断变薄,对ESD提出更高的要求。尤其在射频集成电路中,ESD的寄生电容对射频性......
提出了一种新型抗静电泄放（ESD）钳位保护电路--栅控可控硅级联二 极管串（gcSCR-CDS）结构。相比传统级联二极管串（CDS）结构,新结构利用插......
飞机静电放电器用于泄放飞机沉积静电,降低飞机沉积静电危害,其静电泄放性能关系飞机沉积静电防护的效果。放电器静电泄放性能研究......
提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技......
厚膜绝缘体上硅(SOI)工艺具有隔离性能好、抗辐射能力强和寄生参数小等优点,而横向绝缘栅极极型晶体管(LIGBT)器件具有击穿电压高......
学位
随着科技的飞速发展,手机外观和功能不断创新,人们对手机的性能要求不断提升,对抗ESD的性能标准不断提高。基于此,从基础理论出发,......
提出了一种用于提高静电泄放(ESD)保护器件开启速度的SCR器件(VSCR)。VSCR采用了新型的横向基区变掺杂结构(VLBD),其开启速度主要......
提出了一种新的静电泄放（electrostatic discharge,ESD）保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实......
近些年来,信息技术高速发展,各种新型电子设备层出不穷,信号传输也由于数据量的剧增而对传输速率要求越来越高,这也意味着在半导体......
提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不......
期刊
近年来,单片集成智能功率模块(IPM)因其高集成度、高可靠性、低成本等优点被广泛地应用于家用电器、新能源交通等领域。单片集成IP......
学位
国内存储器芯片快速发展,芯片的制造工艺不断提升,国内逻辑主流工艺发展到28nm工艺节点,非挥发性存储器NANDFlash发展到24nm工艺节......
通过防静电接地母线和三相五线制供电系统中的电气保护地线提供的防静电地线，实现对数字机顶盒生产车间的EPA系统有效地接地，解决静......
