常规SOI基阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA-LIGBT)提高了LIGBT的关断速度,但常规SOI SA-LIGBT存在负阻效应。而负阻效应增大了SA-LIGBT的功耗,降低了器件的跨导和线性性。为了抑制负阻效应,本论文在深入分析SA-LIGBT负阻效应产生的基础上,提出了两种新型LIGBT,具体研究结果如下:(1)提出具有阳极P型埋层(P-Buired-Layer Anode side)横向绝缘栅双极晶体管(PBLA-LIGBT)。较常规SA-LIGBT结构,PBLA-LIGBT在其阳极新添加一个P型电荷区。新结构通过新加入的P型电荷区增长了电子电流的路径,进而通过减小阳极N区电子通道的宽度,提高了阳极P区下方路径的电阻值Rp,抑制了SA-LIGBT的负阻效应。论文还对新结构的输出特性、击穿特性、关断特性进行了分析,仿真结果表明:新结构PBLA-LIGBT在抑制负阻效应和提高关断速度的情况下,耐压达到226V,且新结构具有制造工艺简单,流片成本低的优点。(2)提出具有阳极弱反型层(Anode Weak Inversion Layer)横向绝缘栅双极晶体管(AWIL-LIGBT)。新结构在常规SA-LIGBT的阳极区引入一个反型区。新结构的技术特点在于,基于弱反型所形成的高电阻,使阳极P+/N-buffer结在小的多子电流下实现导通,阳极P+区中的空穴可以更早的注入漂移区,从而消除负阻效应。通过与常规SA-LIGBT对比研究,仿真结果表明:新结构在关断速度不变的同时击穿电压提升了111V(约56%)的情况下,消除了常规阳极短路LIGBT在导通过程中出现的负阻效应。