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快速增长的无线通信市场的巨大需求造成了对射频/微波集成电路的需求。近年来随着特征尺寸的不断减少,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能。最近几年世界各国研究人员在CMOS射频集成电路的设计和制作方面进行了大量的研究,使得CMOS射频/微波集成电路的性能不断得到提高。在无线通信技术对CMOS射频/微波集成电路需求的大背景下,本论文提出了用于高频集成电路(RFIC/MMIC)器件的各类新型ICC(Induced Current Cancellation,感应电流相消)屏蔽工艺结构,由此设计制造的IC部件解决了传统半导体工艺无法实现射频/微波集成电路的难题,以达到降低高频集成电路器件的高频损耗,提高器件Q值以及扩宽器件应用频带的目的。在我们已有的对传统IC部件研究基础上,分别对高频集成电路中必不可少的连接线、I/O Pad、集成电感和集成巴仑等无源器件采用新型ICC屏蔽工艺结构后的效应研究,为设计制造高频、高速的CMOS射频/微波集成电路提供了非常实用的IC部件,并奠定了器件结构和工艺流程联合设计的基础。由于硅(Si)衬底的影响,在常规的CMOS工艺进行高频集成电路(RFIC/MMIC)器件开发是非常困难,很多研究工作都在做工艺改造,以达到器件性能提高的目的。然而改变工艺意味着成本的提高,而本项目在保持常规的工艺基础上尝试新型器件的开发研究,提出了用于高频集成电路(RFIC/MMIC)器件的各类新型ICC(Induced Current Cancellation)屏蔽工艺结构,即在半导体工艺最底层金属上优化设计高频感应电流相抵消(ICC)屏蔽层的新型工艺结构。本论文主要的研究工作如下:(1)新型ICC分为感性ICC屏蔽(L型ICC)和容性ICC屏蔽(C型ICC),根据这样的分类优化选择分别适合高频集成电路中常用的连接线、I/O Pad、集成电感和集成巴仑等无源器件的各类新型ICC屏蔽工艺结构。(2)设计出低损耗的连接线和I/O Pad、高谐振点的集成电感以及高对称性/高平衡度的集成巴仑。(3)达到降低高频集成电路器件的高频损耗,提高器件Q值以及扩宽器件应用频带的目的。