馈源的功率容量已经成为HPM (High Power Microwave, HPM)技术发展的一个重要的限制,开展提高馈源功率容量的技术研究,对于HPM实用化具有很强的现实意义。馈源的功率容量在很大程度上取决于馈源的结构形式和介质窗口材料的击穿特性,本文重点以几种常用的窗口材料为实验材料,通过理论分析和实验验证相结合的方法,研究介质窗击穿特性,考察介质窗表面特性及其对介质击穿过程的影响,探讨HPM模式转换器、旋转关节及馈源的设计技术。主要工作包括：采用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)、光学显微镜观察、红外光谱等几种技术手段对介质材料表面组分进行了分析,发现介质表面态中元素组分和材料肌体内部的元素组分比例以及原子构造均有着较大的差异：表面态中除了材料本身的组分以外,还存在O、N、K等元素,认为这些元素的存在,是介质表面击穿阀值明显下降的原因之一。对微波场下介质窗口的击穿现象进行了理论探索和实验研究,阐述了微波作用下介质发生击穿的一般物理过程,讨论了一次电子产生、二次电子倍增过程及其影响因素；研究了介质窗加工处理工艺对窗口表面态、介电特性的影响,认为长时间(24小时)的烘烤对介质损耗和体电阻均有较大影响,测量了击穿过程中介质表面的带电现象,分析了介质表面电子陷阱密度分布对介质表面电荷沉积的影响；通过观察击穿前后试件的表面,发现在击穿的初期,杂质参与了击穿的早期过程,是击穿的薄弱点,介质表面光洁度越高其抗击穿电压值越大,平行于电场的划痕明显地降低了击穿阈值并加剧了介质表面的击穿。研制了用于观察微波场下介质表面电致发光现象的日盲型紫外探测仪和X射线探测设备,建立了利用光电诊断手段实验研究介质窗口击穿的方法,开展了百千瓦级波导口介质击穿实验,获得了介质窗的击穿判据,对击穿点移动现象进行了光学诊断并进行了理论解释,认为击穿产生的等离子体是引起窗口透射波过早截止的原因；用功函数的概念解释了波导口介质窗“三相点”的起电现象。建立了用于研究高功率(GW级)、窄脉冲(纳秒级)微波作用下介质击穿现象的实验装置,开展了介质击穿实验,获得了几种介质窗材料的击穿阈值；得到了介质内部的树枝状击穿通道图像并对其成因进行了分析。测量了HPM源及介质窗放电过程中的紫外线和X射线,并基于能带理论提出了HPM作用下介质窗口击穿时一次电子的产生机制；认为HPM作用下介质窗的起电现象主要是源于HPM源产生的X射线对介质窗的轰击以及发生在介质窗表面的局部微放电；HPM源产生的X射线和紫外线是介质窗表面吸附气体解吸和离化的主要原因之一。通过对介质窗击穿后的表面形态微观分析,提出了HPM介质窗损坏的两种形式：一种是由于微放电形成的火花闪烁(Sparking)引起的介质窗表面“烤焦”,另一种是由于击穿引起的介质窗损坏。设计制作了用于某武器实验样机的E面/H面辐射方向图等化的馈源,并对该馈源的介质窗口寿命进行了高功率考核,结果表明在注入功率大于1GW、脉冲宽度20ns时,馈源窗口的寿命大于6×104个脉冲。提出并研制了三镜波束波导馈电的双反射面天线、TMol圆波导弯头和组合式旋转关节,实验结果表明功率容量大于1GW,较好地解决了高功率微波传输线的功率容量问题。