a-Si TFT有源矩阵液晶显示器因其性能可与CRT相媲美而成为平板显示技术的主流.进行TFT-LCD技术的研究和开发,具有十分重大的社会效益和经济效益.a-SiN<,x>薄膜作为TFT器件和存储电容的介质层,以及扫描电极和信号电极的绝缘层,其质量对a-Si TFT有源矩阵的性能起着至关重要的作用.本文对TFT矩阵中的介质绝缘膜进行了系统研究,此外,还就液晶电容变化对像素电压跳变的影响进行了模拟.在TFT矩阵中,TFT器件的开关比对矩阵的性能起着关键作用.本论文从研究淀积条件对薄膜中含氢基团红外吸收峰的影响,及气体流量比对薄膜电学特性的影响入手,优化淀积条件,制备了高开关比TFT单管器件.如果介质绝缘膜中含有针孔,或绝缘膜的淀积不均匀,在TFT矩阵中就会分别产生线缺陷或TFT器件性能的不均匀,从而使TFT-LCD显示品质下降.为了消除TFT矩阵中的线缺陷,本文通过电容测试的方法对Ta<,2>O<,5>/a-SiN<,x>双绝缘系统进行了研究,并将此双层膜系统应用到TFT矩阵中,获得了良好的效果.为了使TFT矩阵的性能均匀,本文研究了气体流量和阴极极板气孔分布对a-SiN<,x>薄膜均匀性的影响,并通过两种因素的调整优化,对均匀薄膜的淀积条件进行了探索.TFT-LCD显示中,常常出现图像闪烁的问题,这是由像素电极电压跳变所引起的.早期的报导认为跳变电压只与栅电压有关,而与像素电极电压无关.而最近一些作者认为电压跳变与像素电极电压有关,并呈线性关系.但这些解释均未能把液晶介电常数的变化这一因素考虑进去.通过考虑这一因素,本论文对TFT-LCD中的电压跳变问题进行了模拟,并得出了跳变电压与像素电压之间的函数关系.本文的这一工作从理论上成功解释了TFT-LCD的像素电极电压跳变,并为TFT有源矩阵的设计提供了依据.