HWCVD沉积固态源扩散制备n-PERT双面太阳电池

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【摘要】

：

n型晶硅由于体少子寿命高,对金属杂质的容忍度大,弱光效应好和无光致衰减等优点,近年来在高效率太阳电池领域备受关注。n型晶硅太阳电池的发展呈现多种技术路线齐头并进的特点,现在已经有各类结构的高效n型电池,其中n-PERT结构因可双面发电,制备技术与现有产线兼容性好等优点而备受关注。其推广应用的瓶颈目前主要是其结构中p~+-c-Si发射极和n~+-c-Si背电场的制备技术尚存在不足。通过分析现行各种扩

【作者】

：

宿世超

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2018年05期

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