氧化镓是一种具有宽禁带的新型半导体材料,得益于其良好的物理特性（具有较大的禁带宽度,较大的击穿电场强度等）以及良好的化学稳定性,在紫外探测器、功率器件等领域应用前景广阔,这些年来已经引起了越来越多的学者的关注。主流的氧化镓半导体器件都是薄膜形态。为了得到性能更好的氧化镓薄膜,通常可以使用掺杂手段来对其进行改善,这也已经被许多研究人员证明是一种有效的手段。本文的研究目的是利用带隙宽度更大的氧化铝材料,对氧化镓薄膜进行掺杂,改变其带隙宽度,以期得到一种可靠的氧化镓带隙调节的方法,并探求其生长方法和紫外光电特性。第一、通过PVD方法进行氧化镓薄膜的铝掺杂生长,得到(Al_xGa_1-x)₂O₃晶体为形式的薄膜材料,随后利用表面形貌,元素组分,光学性质等手段进行分析。结论表明,随着Al含量的增加,薄膜始终以β-Ga₂O₃的晶体结构作为晶体存在的主要形式,Al³⁺以替位的方式进入原有的β-Ga₂O₃晶体。同时在本文的实验条件下,以1000℃进行退火处理是对薄膜结晶质量的提升较为合适的退火温度。第二、数据处理可以得到生长的薄膜组分,以及其禁带宽度。证实通过掺杂可以扩大至5.32e V,相比于β-Ga₂O₃的禁带宽度明显扩大,表明有望通过改变Al的浓度进一步调控薄膜的带隙在更宽的范围之间变化。第三、利用磁控溅射仪在完成薄膜生长后,将插指式Ti/Au电极在薄膜表面生长。并使用探针法,测试其光暗带电流的I-V和I-t特性,结果表明制备的铝镓氧薄膜在有无254nm紫外光条件的下的光电流与暗电流有显著差异,不同掺杂Al浓度的薄膜都有着较好的紫光电响应。