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随着便携式电子产品的发展和增多,其对电源的需求也越来越高,提高电源管理芯片的效率是设计中需要考量的关键因素之一;同时,随着半导体工艺的进步,静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)现象对芯片的危害日益严重。在电源管理芯片设计的过程中,研究相应的片上ESD防护器件及电路,增强全芯片静电防护能力也是非常重要的。本文基于华润上华0.5 μ m BCD工艺,对ESD防护器件进行研究设计及流片验证。利用TCAD软件Silvaco仿真平台,对比传输线脉冲(TLP,Transmissio