碳化硅(SiC) MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,其性能在高温、高频、高功率密度的应用场合具有优于硅基功率半导体器件。然而,由于碳化硅晶元生长和SiC MOSFET制造工艺的限制,现在商用SiC MOSFET电流电压等级一般为1200V/40A。为了实现SiC MOSFET在中大功率场合的应用,需要将SiC MOSFET串并联以提高电压和电流能力。本文分析了各种已发表的用于功率器件串联的方案,比较了这些方案的优缺点,并在此基础上提出了一种新型串联拓扑,该拓扑可以实现对多个功率器件的串联而仅需单个外部驱动。同时,为了提高电路的电流能力,采用两组SiC MOSFET并联。分析了此串并联电路的工作原理和阐述了其设计要点。通过六个1200V/40A SiC MOSFET三管串联两管并联实现了3600V/80A SiC MOSFET分立元件级电路结构,并对其开关速度和损耗进行了分析。为了将3600V/80A SiC MOSFET串并联电路在模块层面加以实现,文章简单介绍了功率模块的工业化设计与制作流程并设计制作了3600V/80A SiC MOSFET串并联模块。之后对此SiC MOSFET串并联模块进行了在2400V/80A条件下的双脉冲测试并比较了分立元件的电路版本和模块版本发的串并联电路的开关特性。